CES 2012: встраиваемая флэш-память SanDisk iNAND Ultra выпускается по нормам 19 нм

Выставку CES компания SanDisk выбрала для премьеры встраиваемой памяти для мобильных устройств iNAND Ultra, которая будет выпускаться по нормам 19 нм.

Уменьшение норм техпроцесса позволяет увеличить объем памяти, устанавливаемой в мобильное устройство. Новая память SanDisk предназначена для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств.

Модули iNAND Ultra уже используются производителями мобильных устройств. Они соответствуют стандарту e.MMC и них используются чипы MLC NAND. Размеры корпуса составляют 11,5 x 13 мм. Модули некоторых объемов имеют высоту всего 1 мм.

По словам производителя, iNAND Ultra оптимизированы для текущего и будущего поколения мобильных операционных систем, таких, как Google Android и Windows Mobile. Эта аппаратная оптимизация для ключевых ОС вкупе с высокими показателями производительности при произвольном доступе позволяет сделать устройства более отзывчивыми на действия пользователя и повысить скорость отклика в многозадачных средах. Скорость последовательной записи достигает 20 МБ/с, последовательного чтения — до 80 МБ/с.

Источник: SanDisk