Специалисты из университета штата Огайо нашли альтернативу кремнию и графену для использования в электронике будущего

Материал, из которого 65 лет назад были созданы первые транзисторы, может получить второй шанс на широкое использование в полупроводниковых приборах. Исследователи, работающие в университете штата Огайо, научились формировать из германия слои толщиной в один атом, которые на порядок превосходят по мобильности электроны кремния, преимущественно используемый сейчас в полупроводниковых изделиях.

Структура нового материала напоминает структуру другого перспективного кандидата на использование в электронике будущего: графена — материала из одного слоя атомов углерода. По аналогии с графеном, являющимся формой графита, ученые назвали новый материал германеном.

Попытки изготовить германен предпринимались и раньше, но исследователи из университета штата Огайо первыми достигли успеха и научились получать новый материал в количествах, достаточных для детального анализа его свойств и демонстрации того, что германен сохраняет стабильность при воздействии воздуха и воды.

При всех его достоинствах, графен пока не используется в коммерческих изделиях. Возможно, судьба германена сложится более успешно.

Одним из привлекательных качеств нового материала является его способность хорошо поглощать и излучать свет, делающая германен очень подходящим для оптоэлектроники.

Источник: университет штата Огайо