В TSMC надеются начать пробный выпуск продукции по 16-нанометровой технологии FinFET в конце текущего года

Источник рассказал о планах компании TSMC, используя в качестве исходного материала недавнюю беседу с представителями прессы Морриса Чанга (Morris Chang), основателя и руководителя этой компании.

Ощущая усиление конкуренции со стороны Globalfoundries и Samsung, тайваньская компания ускорила освоение новых технологий. В частности, пробный выпуск продукции по 16-нанометровой технологии FinFET в TSMC рассчитывают начать до конца текущего года.

Что касается литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV), ее очередь придет при освоении норм 10 нм, полагает руководство TSMC. Это произойдет в конце 2015 года, причем выбор в пользу EUV пока не является окончательным. В компании также ведут исследования в области электронно-лучевой литографии.

«Похоже, что у нас есть еще 7-8 лет впереди — может быть, и больше — мы видим возможность освоения норм 10 и даже 7 нм», — приводит источник слова Морриса Чанга, имеющего 50-летний опыт работы в полупроводниковой отрасли.

Заглядывая в будущее, в компании не забывают о настоящем. Сейчас идет активное расширение производства и наращивание выпуска продукции по нормам 28 нм. В текущем году капитальные затраты TSMC превысят 9 млрд. долларов. Для сравнения — в 2009 году они составили 2 млрд. долларов. Если раньше компания вводила в строй одну очередь производства в год, то сейчас — три. По собственной оценке TSMC, компания выпускает ежемесячно 1,3 млн. пластин с логическими чипами, что существенно больше показателя компании Samsung, занимающей второе место в мире по объему производства, равного примерно 0,9 млн. пластин в месяц. К 2017 году TSMC рассчитывает нарастить мощности до 13,5 млн. пластин в месяц.

Источник: EE Times